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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全(quán)审岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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