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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应每走一步就会深深的撞一下，抱着走一下就撞一下商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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