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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设施的(de)运营者(zhě临沂是几线城市，临沂是几线城市2023)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(临沂是几线城市，临沂是几线城市2023guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quá临沂是几线城市，临沂是几线城市2023n)，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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