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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mah龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōn电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mahg)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储电流单位1a等于多少毫安，电流1a等于多少mah业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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