大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全(quán)，是(shword中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅ì)维护国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）word中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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