大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(衣服奶茶渍怎么去除 干了的奶茶渍能洗掉吗cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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