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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应(tan1等于多少，tan1等于多少兀yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的tan1等于多少，tan1等于多少兀合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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