大家好，来看一则(冀g是河北哪里的车牌zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。冀g是河北哪里的车牌>

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国(gu冀g是河北哪里的车牌ó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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