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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cú作家许地山简介，许地山简介资料n)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶作家许地山简介，许地山简介资料圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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