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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目如来佛祖最怕的一个人，如来佛祖的克星是谁的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(à如来佛祖最怕的一个人，如来佛祖的克星是谁n)照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和如来佛祖最怕的一个人，如来佛祖的克星是谁薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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