大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng戊申年是哪一年)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhà戊申年是哪一年line-height: 24px;'>戊申年是哪一年o)《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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