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　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司srds是什么意思，srds是什么意思啊在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiānsrds是什么意思，srds是什么意思啊g)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎngsrds是什么意思，srds是什么意思啊)。

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