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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行画家刘一民作品值多少 刘一民是山东还是广东了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危画家刘一民作品值多少 刘一民是山东还是广东害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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