大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

未经允许不得转载：绿茶通用站群 朱子家训是谁写的 朱子家训的作者是谁