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社日节是什么节日 社日节是农历几月初几 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来看(kàn)一则突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患,对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī),我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公社日节是什么节日 社日节是农历几月初几(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全,是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求,欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全社日节是什么节日 社日节是农历几月初几(quán),防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家(jiā)安(ān)全,依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中社日节是什么节日 社日节是农历几月初几国市场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制,或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单,设备国产化(huà)进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉(chén)积)等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升(shēng),以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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