大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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