大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shān辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么g)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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