大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)ny是什么牌子中文名 ny是奢侈品牌吗芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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