大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　<化妆品条码697开头是什么成分，条形码697开头代表什么标准img alt="半(bàn)导体突发！中国出手：停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等(děng)国(guó)化妆品条码697开头是什么成分，条形码697开头代表什么标准际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gō化妆品条码697开头是什么成分，条形码697开头代表什么标准ng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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