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祈使句例子英语,祈使句例子10个 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

  美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

  据网信办消(xiāo)息,日(rì)前,网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患,对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风(fēng)险,影响我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放,只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求,欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)!

  美光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降,至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē),确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势,公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制,或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升(shēng),以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīn祈使句例子英语,祈使句例子10个g)洗)等收入增(zēng)长(zhǎng)。

 

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