大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。蜗牛是不是昆虫类>

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān蜗牛是不是昆虫类)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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