大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎ黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑ng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保黥刑是什么刑罚 黥刑是轻刑还是重刑持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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