大(dà)家好，来看(kàn)一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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