大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)酒后想念一个人是真爱吗，为什么喝了酒会很想念一个人。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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