大家(jiā)好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就河北保定技校排名，保定技校前十名(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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