大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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