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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)睡觉的时候一直放里面是什么感觉，睡觉一直放在里面。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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