大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司光鲜亮丽的意思和造句，光鲜亮丽的意思反义词产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存光鲜亮丽的意思和造句，光鲜亮丽的意思反义词储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，光鲜亮丽的意思和造句，光鲜亮丽的意思反义词占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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