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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科（世界上傻子最多的国家，哪个国家傻子多CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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