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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球小明王是谁的后代 小明王是男是女存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。小明王是谁的后代 小明王是男是女p>

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