大(dà)家好，来看一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显(xi53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌ǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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