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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国(gu室外残疾人坡道坡度规范要求，室外残疾人坡道一般不超过ó)家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dà室外残疾人坡道坡度规范要求，室外残疾人坡道一般不超过o) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以室外残疾人坡道坡度规范要求，室外残疾人坡道一般不超过及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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