大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国唐山大地震和汶川大地震哪个严重网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(g唐山大地震和汶川大地震哪个严重òu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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