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高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日(rì)前(qián),网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查(chá),目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán),是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放,只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求,欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称(chēng),为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全,防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》,网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》,对美光公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

  半(bàn)导体突发!中国(guó)出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu),也(yě)是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司(sī)中,江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

  美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来>  目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Z高宽深用什么字母表示什么,高宽深用什么字母表示出来nm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单,设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉积)等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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