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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK人死后尾七是什么意思，头三尾七是什么意思 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从人死后尾七是什么意思，头三尾七是什么意思中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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