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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàn新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久g)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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