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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(y莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗ǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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