据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法勾8是什么意思网络用语，勾8是什么意思？规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(qu勾8是什么意思网络用语，勾8是什么意思？án)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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