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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuá龙钟是什么意思有什么表达效果，双袖龙钟的龙钟是什么意思n)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司(sī)份额(é)提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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