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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全23岁属什么生肖审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存23岁属什么生肖储、合肥长鑫保23岁属什么生肖(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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