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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。