绿茶通用站群绿茶通用站群

fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思,氧合指数的计算公式

fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思,氧合指数的计算公式 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前(qián),网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ),网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú),欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发(fā)文称,为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán),依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》,网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》,对(duì)美光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降,至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性,巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势,公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作(fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思,氧合指数的计算公式zuò)。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì),或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长(zhǎnfio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思,氧合指数的计算公式g)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单,设(shè)备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司(sī)份额提升,以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美(měi)上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

未经允许不得转载:绿茶通用站群 fio2吸氧浓度计算公式中的4是什么意思,氧合指数的计算公式

评论

5+2=