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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％科长相当于什么级别？。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已科长相当于什么级别？经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品<科长相当于什么级别？/strong>

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。