大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57卧室放wifi有什么危害知乎，wifi放在卧室里有害吗％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上卧室放wifi有什么危害知乎，wifi放在卧室里有害吗市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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