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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，杀害一只斑鸠是什么罪，打死一只斑鸠会定什么罪网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公杀害一只斑鸠是什么罪，打死一只斑鸠会定什么罪司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(g杀害一只斑鸠是什么罪，打死一只斑鸠会定什么罪āo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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