大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码24px;'>腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēn腰围63是多少尺码，腰围63是多大尺码g)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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