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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，河北保定技校排名，保定技校前十名是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。河北保定技校排名，保定技校前十名g>存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％河北保定技校排名，保定技校前十名。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。