大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络横截面是什么意思小学六年级，长方体的横截面示意图安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审横截面是什么意思小学六年级，长方体的横截面示意图查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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