大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的(de)运(y洋槐蜜多少钱一斤，正宗洋槐蜜多少钱一斤ùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依洋槐蜜多少钱一斤，正宗洋槐蜜多少钱一斤据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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