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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75杨志性格特点及主要事迹概括，杨志性格特点及主要事迹100字％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)杨志性格特点及主要事迹概括，杨志性格特点及主要事迹100字份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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